根据华信研究院资料显示，费城半导体指数上周下跌5.83%，低于纳斯达克综合指数0.35个百分点；台湾半导体指数下跌0.64%，低于台湾资讯科技指数0.14个百分点。中国半导体发展指数下跌4.61%，低于A股指数0.45个百分点。上周中国半导体上市公司中，有8家公司上涨，58家公司下跌。其中涨幅最大的公司是国微技术（+30.00%）。
从走势看，上周中国半导体发展指数有所下降。在中美科技博弃不断升级的背景下，强化国家战略科技力量，打造自主、可控、安全、可靠的半导体产业链供应链，实现高水平科技自立自强已经迫在眉睫，半导体行业国产替代亟需加速。
“新型举国体制”助力半导体整体产业国产替代加速，行业核心技术链有望受益。“新型举国体制”旨在将市场机制和举国体制的优势相结合，高效配置科技力量和创新资源“集中力量办大事”。由于半导体产业具有产业链条长、技术攻关难度大、投资力度大和回报周期长等特点，所以仅靠市场自发力量很难形成突破。目前我国半导体产业已经在成熟制程取得重大突破，但在先进制程和产业链的关键点上仍存在一定的阻力。尤其是在半导体上游设备、材料等板块，美国对运算芯片、存储制造设备、14nm以下的芯片制造工具、EUV和DUV光刻机等环节的制裁，形成了对我国关键核心技术封锁的威胁。在新型举国体制下，关键设备及核心技术上下游产业链将通过政策的导向，得到产业资源的优先配置。新型举国体制将充分利好上游设备、材料板块，行业内龙头企业有望显著受益。
设计领域：
国内集成电路产业再添2个研究院，加快突破关键核心技术。中国电科产业基础研究院、芯片技术研究院正式揭牌成立。其中，芯片技术研究院是中国电科经中央编办批准设立的研发机构，将依托园区集成电路产业集聚优势，以及中国电科第24所、26所、44所技术积累和资源优势，成体系布局集成电路、微声电子、半导体光电子、传感器等芯片技术，完善芯片产业链建设，确保产业链供应链安全。中国电科表示，组建产业基础研究院、芯片技术研究院，将推动集成电路与核心元器件攻关，加快突破关键核心技术。中国电科将以研究院揭牌成立为新的起点，瞄准国家急迫需要和长远需求，系统整合集成电路与核心元器件优势资源，全力打好产业基础高级化、产业链现代化攻坚战，努力在世界一流科研院所建设方面率先取得突破。
制造领域：
我国科学家在下一代光电芯片制造领域获重大突破。9月14日晚，国际顶级学术期刊《自然》发表了我国科学家在下一代光电芯片制造领域的重大突破。南京大学张勇、肖敏、祝世宁领衔的科研团队，发明了一种新型“非互易飞秒激光极化铁电畴”技术，将飞秒脉冲激光聚焦于材料“铌酸锂”的晶体内部，通过控制激光移动的方向，在晶体内部形成有效电场，实现三维结构的直写和擦除。这一新技术，突破了传统飞秒激光的光衍射极限，把光雕刻铌酸锂三维结构的尺寸，从传统的1微米量级（相当于头发丝的五十分之一），首次缩小到纳米级，达到30纳米，大大提高了加工精度。这一重大发明，未来或可开辟光电芯片制造新赛道，有望用于光电调制器、声学滤波器、非易失铁电存储器等关键光电器件芯片制备，在5G/6G通讯、光计算、人工智能等领域有广泛的应用前景。
设备领域：
设备零部件，半导体国产化替代的深水区。从产业链结构来看，半导体设备零部件处于半导体产业链的最上游，也是国产化替代进程中较为艰难的领域。究其原因在于设备零部件具有品类繁多、市场分散、认证壁垒高等因素。立足当下，随着国内半导体晶圆厂及设备公司营收规模持续上升，以及其对自身供应链安全的考虑，将有望带动一批半导体设备零部件相关公司发展壮大。
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材料行业：
碳化硅市场渗透率不断上升，产业链迎来规模化发展。碳化硅的发展与电动汽车市场的扩张紧密相连，随着新能源汽车市场规模持续扩大，以及自动驾驶技术的升级演变，车用芯片需求不断上升，第三代半导体碳化硅技术重要性愈发凸显。Wolfspeed、安森美、意法半导体作为碳化硅领域的头部企业，其动态是行业的重要风向标，近期三家企业均发表了对碳化硅行业的积极展望，反映车规级碳化硅产品的渗透率情况好于预期。我们认为碳化硅产业已经进入爆发前夕，随着新能源车渗透率不断升高，以及整车架构朝800V高压方向迈进，碳化硅器件在主逆变器、DC／DC转换系统、车载充电系统及充电桩等领域有望迎来规模化发展。
信息来源：华信研究院
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