● 最为活跃的193nm浸入式光刻技术简介

   直至2002年底浸入式技术迅速成为光刻技术中的新宠，而此前业界并没有认为浸入式技术有如此大的功效。因为此种技术的原理清晰及配合现有的光刻技术变动不大，获得了人们的极大赞赏。

传统干式光刻技术

   在传统的光刻技术中，其镜头与光刻胶之间的介质是空气，而所谓浸入式技术是将空气介质换成液体。实际上，浸入式技术利用光通过液体介质后光源波长缩短来提高分辨率，其缩短的倍率即为液体介质的折射率。例如，在193nm光刻机中，在光源与硅片（光刻胶）之间加入水作为介质，而水的折射率约为1.4，则波长可缩短为193/1.4=132nm。

浸入式光刻技术原理

   如果放的液体不是水，或者是其它液体，但折射率比1.4高时，那实际分辨率可以非常方便地再次提高，这也是浸入式光刻技术能很快普及的原因。

   浸入式技术目前采用的是两次去离子的蒸馏水，碰到主要的问题如下：

   在浸入式光刻机系统中，由于多种原因都可能产生气泡，如减压、气泡表面的空气渗透、硅片表面的空气吸入或者与光刻胶表面的作用等。曾经作了气泡从形成到破裂的寿命试验，实验发现（包括理论的估计）微细气泡的寿命正比于它的直径，许多微细气泡在破裂之前实际己经分解。

   193nm浸入式光刻技术是所有活跃的光刻技术中最为长寿最富有竞争力的，从这项技术一经提出，就获得了全球半导体厂商的一致认可。因为它的构成方法可行并且投入小，除了节省设备制造商以及制程采用者大量研发及导入成本之外，它还击败开发过程问题重重的157nm光源的干式光刻技术。